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香港大學原校長鄭耀宗院士訪問我院

作者:朱輝 發布時間:2019-05-29 來源:人才與國際交流辦公室

5月28日,我校發展戰略咨詢委員會委員、香港大學原校長、香港城市大學原校長、中國科學院院士鄭耀宗教授到我院訪問交流,并做客學院“我和導師有個約”與學院學生代表分享香港電子信息學科和產業發展歷程千赢国际平台、介紹成長成才的經驗。樊勇院長千赢国际平台、李雪梅書記參加交流千赢国际平台。

樊勇院長代表學院歡迎鄭院士蒞臨指導并介紹了電子學院的基本情況和成立一年多以來所取得成績,感謝鄭院士在學院發展中給予的支持和幫助,希望院士今后在學科建設、人才培養、科學研究和青年教師成長等方面多給學院建議。

鄭耀宗院士表示千赢国际平台千赢国际平台,今后愿意多來電子科技大學千赢国际平台,幫助學校提升集成電路領域的學科實力和國際影響力千赢国际平台,在集成電路人才培養和科學研究上可促成更多的合作。

  在與學生交流中,鄭院士從自己的成長歷程談起,指出奮斗的重要性。在大學直到博士時期,他選擇了半導體器件千赢国际平台、晶體管研究,也是一直以此為人生目標千赢国际平台,希望能在某個領域專注千赢国际平台、鉆研千赢国际平台,做出自己的貢獻。當20世紀七十年代他博士畢業從加拿大返港探親時千赢国际平台,發現電子信息產業在香港正如火如荼地發展,從此下定決心千赢国际平台,要為香港、為中國的電子信息領域做出自己的貢獻千赢国际平台。他也鼓勵在場的同學去世界不同的地方學習交流,在不同的思維碰撞中,可以得到新的收獲。

  在提問交流環節,同學們就香港的微電子學科環境,香港大學、香港科技大學等著名高校的發展趨勢與潛力,人生面臨重大抉擇時的權衡等問題與鄭耀宗院士互動千赢国际平台。在場同學表示,鄭院士對于香港的發展、電子信息科學的發展有深刻的體會和獨到的見解,講座拓展了大家的思維,有助于大家樹立遠大的志向、確定成長目標。


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  鄭耀宗,我國著名微電子學專家。原籍廣東中山,生于香港。曾任香港城市大學校長千赢国际平台、香港大學校長、教授。長期以來對金屬-氧化硅-硅(MOS)系統及其器件物理和工藝技術進行了系統研究。發明了摻氯化氫硅氧化技術,解決了當時MOS器件和集成電路閾值電壓漂移千赢国际平台、不能穩定工作的難題千赢国际平台,使MOS器件和電路的性能、可靠性和成品率大大提高。他在國際上首先提出MOS反型層載流子表面粗糙度散射理論,在MOS集成電路進入深亞微米階段后,這一機理已成為決定MOS反型層載流子遷移率的主要因素千赢国际平台,這是對MOS器件物理的一大發展千赢国际平台。他是較早開展氮化硅技術的研究者之一,在深亞微米器件模型研究工作中取得重要成果。1999年當選為中國科學院院士。2016年,鄭耀宗院士受聘為我校發展戰略咨詢委員會委員,任我校特聘講席教授。



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